Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Номер продукта: TSG65N190CR-RVG
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56
Параметры товара поставщика
Product code
TSG65N190CR-RVG
Supplier's product code
TSG65N190CR-RVG
Product ID
U-4157844
Case
PDFN56
Drain current
11A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
2.2nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.19Ω
Polarisation
unipolar
Pulsed drain current
19A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Brand
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
