Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK ONSEMI
Номер продукта: HGT1S10N120BNST
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 531 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK ONSEMI
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
HGT1S10N120BNST
Case
D2PAK
Collector current
17A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Gate charge
150nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Power dissipation
298W
Pulsed collector current
80A
Type of transistor
IGBT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
HGT1S10N120BNST
Product ID
U-204638
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
