💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? Kirjutage [email protected] aadressile
💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? [email protected]

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W ONSEMI

Номер продукта: FQP8P10
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W ONSEMI

Спецификации

Артикул
U-2349588
NomNr
FQP8P10

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W

Параметры товара поставщика

Product code
FQP8P10
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQP8P10
Product ID
U-2349588
Case
TO220AB
Drain current
-5.7A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
530mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
65W
Pulsed drain current
-32A
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].