Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6 TOSHIBA
Номер продукта: SSM6J501NU
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SSM6J501NU
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
SSM6J501NU
Product ID
U-338192
Case
uDFN6
Drain current
-10A
Drain-source voltage
-20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
29.9nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
SMD
On-state resistance
43mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Pulsed drain current
-30A
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
