Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK ONSEMI
Номер продукта: FDB035N10A
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Параметры товара поставщика
Product code
FDB035N10A
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDB035N10A
Product ID
U-2349828
Case
D2PAK
Drain current
120A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
116nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
3.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
333W
Pulsed drain current
856A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
