💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? Kirjutage [email protected] aadressile
💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? [email protected]

Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W IXYS

Номер продукта: IXFN26N100P
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
113.65
3-9
100.31
10+
90.17
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

113.65
2024-08-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-08-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно6 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W IXYS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-220741
Марка
NomNr
IXFN26N100P

Описание товара от поставщика

Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNr
IXFN26N100P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFN26N100P
Product ID
U-220741
Case
SOT227B
Drain current
23A
Drain-source voltage
1kV
Electrical mounting
screw
Gate charge
197nC
Gate-source voltage
±40V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
390mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
595W
Pulsed drain current
65A
Reverse recovery time
300ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of module
MOSFET transistor
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].