Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 630W IXYS
Номер продукта: MIEB101H1200EH
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 630W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
MIEB101H1200EH
Application
motors
Case
E3-Pack
Collector current
128A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
630W
Pulsed collector current
200A
Semiconductor structure
transistor/transistor
Technology
Sonic FRD™
Type of module
IGBT
Topology
H-bridge
Brand
IXYS
Supplier's product code
MIEB101H1200EH
Product ID
U-257785
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
