Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV IXYS
Tootekood: IXA30PG1200DHGLB
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-17 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 9 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Case
SMPD-B
Collector current
30A
Electrical mounting
SMT
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Power dissipation
150W
Pulsed collector current
75A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
ISOPLUS™
Type of module
IGBT
Topology
IGBT half-bridge
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXA30PG1200DHGLB
Product code
IXA30PG1200DHGLB
Product ID
U-220234
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
