IGBT, 650V, 80A, 238W, TO-263
Toote kood: AFGB40T65SQDN
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
IGBT, 650V, 80A, 238W, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:238W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3P
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
AFGB40T65SQDN
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
2981065
Product ID
U-1488902
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
