LEMONA

IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1 STMicroelectronics

Toote kood: STGAP2SICSANCTR
no gallery
no gallery
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1 STMicroelectronics

Tehnilised andmed

Laokood
U-3822502
NomNr
STGAP2SICSANCTR

Tarnija toote kirjeldus

IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1

Tarnija toote parameetrid

Product code
STGAP2SICSANCTR
Product ID
U-3822502
Case
SO8
Impulse rise time
30ns
Integrated circuit features
galvanically isolated
Kind of integrated circuit
SiC MOSFET gate driver
Kind of package
tape
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
Number of channels
1
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-4...4A
Output voltage
1.7kV
Pulse fall time
30ns
Supply voltage
3.1...5.25V
Type of integrated circuit
driver
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STGAP2SICSANCTR
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].