IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A TEXAS INSTRUMENTS
Tootekood: ISO5852SDW
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-17 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 118 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A TEXAS INSTRUMENTS
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
ISO5852SDW
Brand
TEXAS INSTRUMENTS
Supplier's product code
ISO5852SDW
Product ID
U-2197886
Case
SO16-W
Impulse rise time
35ns
Input voltage
2.25...5.5V
Insulation voltage
5.7kV
Integrated circuit features
galvanically isolated
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of package
tube
Manufacturer
TEXAS INSTRUMENTS
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-5...2.5A
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
37ns
Supply voltage
15...30V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
IGBT half-bridge
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
