Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 DIODES INCORPORATED
Tootekood: DMG4800LSD-13
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-10-03 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 466 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 DIODES INCORPORATED
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMG4800LSD-13
Product ID
U-166231
#Promotion
aac_202202
Case
SO8
Drain current
8.4A
Drain-source voltage
30V
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
22mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.5W
Type of transistor
N-MOSFET x2
Unit price
No
Product code
DMG4800LSD-13
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
