Kättetoimetamise tähtajad
2024-08-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIHD2N80AE-GE3
Product ID
U-1900562
Case
DPAK
Drain current
1.8A
Drain-source voltage
800V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
10.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
3.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHD2N80AE-GE3
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].