Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Tootekood: IPB027N10N3GATMA1
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-216715
NomNr
IPB027N10N3GATMA1
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IPB027N10N3GATMA1
Supplier's product code
IPB027N10N3GATMA1
Product ID
U-216715
Case
PG-TO263-7
Drain current
120A
Drain-source voltage
100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
2.7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
300W
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
