Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Tootekood: P12F60HP2-5600
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-10-03 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 327 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-1937082
NomNr
P12F60HP2-5600
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
P12F60HP2-5600
Supplier's product code
P12F60HP2-5600
Product ID
U-1937082
Case
FTO-220AG (SC91)
Drain current
12A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
26.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
bulk
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
670mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
90W
Pulsed drain current
48A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
