Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8 DIODES INCORPORATED
Tootekood: DMN2009USS-13
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8 DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8
Tarnija toote parameetrid
Case
SO8
Drain current
9.7A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
34nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
12mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
100A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
DMN2009USS-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2009USS-13
Product ID
U-2876079
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
