Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Tootekood: TSG65N110CE-RVG
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Tarnija toote parameetrid
Product code
TSG65N110CE-RVG
Brand
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
TSG65N110CE-RVG
Product ID
U-4157843
Case
PDFN88
Drain current
18A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
4nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Pulsed drain current
35A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
