Transistor MOS-N-Ch+Z-Dio 600V 6A 110W 1.2R TO2

STMICROELECTRONICS STB6NK60Z on N-kanaliga 600 V - 1 Ω - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-kaitstud SuperMESH™™ võimsusega MOSFET. See toode on äärmiselt optimeeritud ST-i hästi tuntud PowerMESH™™ paigutuse abil. Lisaks on-takistuse olulisele vähendamisele on erilist tähelepanu pööratud väga hea dv/dt võime saavutamisele kõige nõudlikumate rakenduste jaoks.

STB6NK60Z on äärmiselt hea dv/dt võimega, 100% laviiniga testitud ja väikese värava laenguga. See toode sobib ideaalselt lülitusrakenduste jaoks.

STB6NK60Z on saadaval mitmesugustes pakendites, sealhulgas TO-220, TO-220FP, D2PAK ja I2PAK. See toode on ideaalne valik neile, kes otsivad usaldusväärset ja tõhusat MOSFET-i.

See kirjeldus on loodud tehisintellekti (AI) abil ja võib erineda tegelikust tootest. Tüüpilised AI vead võivad olla järgmised:

• Ebatäpsed tooteomadused: mõned tehnilised andmed, värvid, suurused või muud parameetrid võivad olla ebatäpsed või välja jäetud.
• Ebakorrektne teave ühilduvuse kohta: Tehisintellekt võib anda ebaõiget teavet toodete ühilduvuse kohta teiste seadmete või süsteemidega.
• Liiga optimistlikud funktsioonid: mõnel juhul võidakse esitada spetsifikatsioonid, mida tootel tegelikult ei ole.
• Nimede või mudelite erinevused: AI võib toote nime või mudelit valesti esitada.

Kui märkate vastuolusid või teil on küsimusi kirjelduse kohta, võtke meiega enne toote ostmist ühendust e-posti aadressil [email protected].