⚡ Rahulik meel igas olukorras – ostke varutoiteallikas ja vältige ootamatuid voolukatkestusi! Toiteplokid >
⚡ Vältige ootamatuid voolukatkestusi! Soovitame toiteplokid
LEMONA

Transistor MOS-N-Ch 60V 84A 200W <0,012R TO-220AB

Tootekood: IRF1010E
Uus!

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-4
1.991.99
5+
1.79
B2B

Min. kogus: 1

Mõõtühik: tk

Kokku:

1.99

lemona shopTarne LEMONA electronics kontorisse 1-5 tööpäeva

Saadaval>50 tk
Keskladu
Ei ole saadavalEi ole saadaval
Tallinna kontor

home deliveryTarne kulleriga koju 1-5 tööpäeva

Shipping parcelTarne pakiautomaati 1-5 tööpäeva


Kättetoimetamise tähtajad

lemona shop

Kontorist kättesaamine

Kontorist kättesaamine Tasuta

Tellimusi töödeldakse ja täidetakse tööpäevadel kell 8.30–17.00.
Kui teie tellimus on kogumiseks valmis, teavitame teid sellest SMS-i ja e-posti teel.

Kogus laos

Saadaval>50 tk
Keskladu
Ei ole saadavalEi ole saadaval
Tallinna kontor
home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

5,00 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 25,00 € toimetatakse kohale tasuta.

3,50 €

Kauba kirjeldus

INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistor IRF1010EPBF

Tehnilised andmed

Laokood
78231
Kaal
0.001983 kg.
Praegune, A
84
Struktuur
MOS-N-Ch
NomNr
IRF1010E
Tehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldus

Tehisintellekti poolt genereeritud eksperimentaalne tootekirjeldus

International Rectifier tootja MOSFET transistor, mis on mõeldud suure võimsusega rakenduste jaoks. See transistor on N-kanaliga ja pakub 60V pinge taluvust, 81A voolu taluvust ja 170W hajuvust. Transistor on pakendatud TO220AB korpusesse.

See transistor sobib suurepäraselt rakendusteks, kus on vaja suurt voolu ja pinge taluvust. Näiteks saab seda kasutada mootorite juhtimiseks, toiteallikate ehitamiseks ja muude suure võimsusega rakenduste jaoks.

Miks valida see transistor?

  • Suur voolu ja pinge taluvus
  • Madal takistus
  • Kõrge efektiivsus
  • Vastupidav ja usaldusväärne

See transistor on suurepärane valik kõigile, kes otsivad kõrge kvaliteediga MOSFET transistorit, mis suudab taluda suuri koormusi.


See kirjeldus on loodud tehisintellekti (AI) abil ja võib erineda tegelikust tootest. Tüüpilised AI vead võivad olla järgmised:

  • Ebatäpsed tooteomadused: mõned tehnilised andmed, värvid, suurused või muud parameetrid võivad olla ebatäpsed või välja jäetud.
  • Ebakorrektne teave ühilduvuse kohta: Tehisintellekt võib anda ebaõiget teavet toodete ühilduvuse kohta teiste seadmete või süsteemidega.
  • Liiga optimistlikud funktsioonid: mõnel juhul võidakse esitada spetsifikatsioonid, mida tootel tegelikult ei ole.
  • Nimede või mudelite erinevused: AI võib toote nime või mudelit valesti esitada.

Kui märkate vastuolusid või teil on küsimusi kirjelduse kohta, võtke meiega enne toote ostmist ühendust e-posti aadressil [email protected].

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB

Tarnija toote parameetrid

Case
TO220AB
Drain current
81A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
86.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
12mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
170W
Technology
HEXFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].