⚡ Rahulik meel igas olukorras – ostke varutoiteallikas ja vältige ootamatuid voolukatkestusi! Toiteplokid >
⚡ Vältige ootamatuid voolukatkestusi! Soovitame toiteplokid
LEMONA

Transistor MOS-N-Ch 400V 5,5A 74W <1R0 (3,3A)

Tootekood: IRF730
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Uus!

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-4
1.451.45
5+
1.31
B2B

Min. kogus: 1

Mõõtühik: tk

Kokku:

1.45

lemona shopTarne LEMONA electronics kontorisse 1-5 tööpäeva

Saadaval>50 tk
Keskladu
Ei ole saadavalEi ole saadaval
Tallinna kontor

home deliveryTarne kulleriga koju 1-5 tööpäeva

Shipping parcelTarne pakiautomaati 1-5 tööpäeva


Kättetoimetamise tähtajad

lemona shop

Kontorist kättesaamine

Kontorist kättesaamine Tasuta

Tellimusi töödeldakse ja täidetakse tööpäevadel kell 8.30–17.00.
Kui teie tellimus on kogumiseks valmis, teavitame teid sellest SMS-i ja e-posti teel.

Kogus laos

Saadaval>50 tk
Keskladu
Ei ole saadavalEi ole saadaval
Tallinna kontor
home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

5,00 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 25,00 € toimetatakse kohale tasuta.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Transistor MOS-N-Ch 400V 5.5A 74W <1R0(3.3A)

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
28358
Kaal
0.001 kg.
Jõudu, W
74
Bränd
Eluase
TO220AB
Praegune, A
5.5
Struktuur
MOS-N-Ch
NomNr
IRF730
Tehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldusTehisintellekti kirjeldus

Tehisintellekti poolt genereeritud eksperimentaalne tootekirjeldus

VISHAY brändi MOSFET transistor, mis on mõeldud kõrgepinge ja suure voolu rakendusteks. See transistor on N-kanaliga ja pakub 400V pinge taluvust ning 5,5A voolu läbilaskvust. Sellel on madal sisse-takistus (RDS(on) = 1,0 Ω), mis tagab suure efektiivsuse ja väikese võimsuskadu. Transistor on kiirelt lülitatav ja sobib ideaalselt lülitusrežiimis toiteallikate, mootorite juhtimise ja muude kõrgepinge rakenduste jaoks.

Peamised omadused:

  • N-kanaliga MOSFET transistor
  • 400V pinge taluvus
  • 5,5A voolu läbilaskvus
  • Madal sisse-takistus (RDS(on) = 1,0 Ω)
  • Kiirelt lülitatav
  • TO-220AB pakend

Miks valida see toode?

  • Kõrgepinge ja suure voolu rakenduste jaoks
  • Madal sisse-takistus tagab suure efektiivsuse
  • Kiirelt lülitatav
  • Usaldusväärne ja vastupidav

See kirjeldus on loodud tehisintellekti (AI) abil ja võib erineda tegelikust tootest. Tüüpilised AI vead võivad olla järgmised:

  • Ebatäpsed tooteomadused: mõned tehnilised andmed, värvid, suurused või muud parameetrid võivad olla ebatäpsed või välja jäetud.
  • Ebakorrektne teave ühilduvuse kohta: Tehisintellekt võib anda ebaõiget teavet toodete ühilduvuse kohta teiste seadmete või süsteemidega.
  • Liiga optimistlikud funktsioonid: mõnel juhul võidakse esitada spetsifikatsioonid, mida tootel tegelikult ei ole.
  • Nimede või mudelite erinevused: AI võib toote nime või mudelit valesti esitada.

Kui märkate vastuolusid või teil on küsimusi kirjelduse kohta, võtke meiega enne toote ostmist ühendust e-posti aadressil [email protected].

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Case
TO220AB
Drain current
3.5A
Drain-source voltage
400V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
74W
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].