Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR
Toote kood: BGH50N65HS1
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-08-21 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 35 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
BGH50N65HS1
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
BGH50N65HS1
Product ID
U-2710904
Case
TO247-3
Collector current
50A
Collector-emitter voltage
650V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
308nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
Power dissipation
357W
Pulsed collector current
200A
Technology
Trench
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
256ns
Turn-on time
54ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
