Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Tootekood: IPB80N06S2L07
Foto on illustratiivne. Toote täpseid tehnilisi parameetreid vaadake kirjeldusest.
Kättetoimetamise tähtajad
2025-03-06 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 943 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 25,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Supplier's product code
IPB80N06S2L07
Product ID
U-216807
Case
PG-TO263-3
Drain current
80A
Drain-source voltage
55V
Gate charge
95nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
6.7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
210W
Technology
OptiMOS™
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Product code
IPB80N06S2L07
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].