Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8 ONSEMI
Tootekood: FDS3890
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8 ONSEMI
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Tarnija toote parameetrid
Case
SO8
Drain current
4.7A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
35nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
82mΩ
Polarisation
unipolar
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDS3890
Product ID
U-2412932
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
20A
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Product code
FDS3890
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
