Π‘ΡΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠΈ
2024-09-05 ΠΠ»Π°Π½ΠΈΡΡΠ΅ΠΌΠ°Ρ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ°, Π΅ΡΠ»ΠΈ ΠΡ Π·Π°ΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΡΠ΅ ΡΠ΅ΠΉΡΠ°Ρ
Π’ΠΎΠ²Π°Ρ Π·Π°ΠΊΠ°Π·ΡΠ²Π°Π΅ΡΡΡ ΡΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Π° ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°. ΠΡΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊ Π½Π΅ ΡΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΈΡΡ Π΄Π°Π½Π½ΡΠΉ ΡΠΎΠ²Π°Ρ Π΄ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π°ΡΡ, ΠΌΡ ΠΈΠ½ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΡΠ΅ΠΌ ΠΠ°Ρ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
Π‘ΠΊΠ»Π°Π΄ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ° |
ΠΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ° Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ
ΠΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄Π°ΡΠΈ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΊΡΡΡΠ΅ΡΡ ΠΌΡ ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
ΠΠΎΠ»Π΅Π΅ 25,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³) | ΠΠ΅ΡΠΏΠ»Π°ΡΠ½ΠΎ |
Π 25,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³) | 4,50 β¬ |
ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ΅
ΠΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄Π°ΡΠΈ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΊΡΡΡΠ΅ΡΡ ΠΌΡ ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
3,50 β¬
ΠΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΎΡ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
ΠΠΎΠ»Π΅Π·Π½Π°Ρ ΠΈΠ½ΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΠΈΡ
ΠΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°
Product code
IXFH34N60X2A
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFH34N60X2A
Product ID
U-220576
Application
automotive industry
Case
TO247-3
Drain current
34A
Drain-source voltage
600V
Features of semiconductor devices
ultra junction x-class
Gate charge
56nC
Gate-source voltage
Β±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ξ©
Polarisation
unipolar
Power dissipation
540W
Pulsed drain current
68A
Reverse recovery time
164ns
Technology
HiPerFETβ’
Type of transistor
N-MOSFET
ΠΠ½ΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΠΈΡ, ΠΏΡΠ΅Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²Π»Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ ΠΎΡΠ»ΠΈΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΎΡ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠ°. ΠΡΠ»ΠΈ Π²Ρ Π·Π°ΠΌΠ΅ΡΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ, ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΡΠ΅ Π½Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π² Π½Π° Π°Π΄ΡΠ΅Ρ [email protected].