Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD
Параметры товара поставщика
Product code
SIHW61N65EF-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHW61N65EF-GE3
Product ID
U-3046094
Case
TO247AD
Drain current
41A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
371nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
47mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
520W
Pulsed drain current
199A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].