Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; Idm: 10A; 36W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHF610S-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHF610S-GE3
Product ID
U-3045869
Case
D2PAK
Drain current
2.1A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
8.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
36W
Pulsed drain current
10A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].