Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Номер продукта: IPB027N10N3GATMA1
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-216715
NomNr
IPB027N10N3GATMA1
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IPB027N10N3GATMA1
Supplier's product code
IPB027N10N3GATMA1
Product ID
U-216715
Case
PG-TO263-7
Drain current
120A
Drain-source voltage
100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
2.7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
300W
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
