Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Номер продукта: NTH4L020N120SC1
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-1922460
NomNr
NTH4L020N120SC1
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
NTH4L020N120SC1
Case
TO247-4
Drain current
84A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
0.22µC
Gate-source voltage
-15...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
28mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
255W
Pulsed drain current
408A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
NTH4L020N120SC1
Product ID
U-1922460
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
